华声在线11月11日讯（全媒体记者 杨佳俊）11日，省委副书记李殿勋根据省委统一安排赴株洲督导经济运行情况，并主持召开座谈会。他强调，要深入学习贯彻党的二十届三中全会精神，准确把握形势任务，精准应对风险挑战，更加有力有效地推动高质量发展。

其中，IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入为7.83亿元，相比上年同期增长30%以上。 根据士兰微披露，基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车 ...

分立器件是指那些具有单一功能、独立封装且能够单独工作的半导体元件，主要包括二极管、三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等产品。盈利能力通常表现 ...

资料显示，无锡新洁能股份有限公司位于江苏省无锡市新吴区电腾路6号，成立日期2013年1月5日，上市日期2020年9月28日，公司主营业务涉及MOSFET、IGBT ...

[导读]Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。 什么是硅IGBT和碳化硅MOSFET? Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。 Si IGBT是电流控制器件 ...

3：耐压高，碳化硅MOSFET目前量产的耐压可达3300V，一般MOSFET耐压900V,IGBT常见耐压1200V. 4:耐高温，碳化硅MOSFET芯片结温可达300度，可靠性，稳定性大大高于传统MOSFET 综上所述：使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率，小体积，在一些高温，高压环境，必用不可。

宜兴项目是中车半导体在IGBT领域布局的重要举措，将为产业的持续快速发展注入强大动能。当日，宜兴市政府与株洲中车时代半导体有限公司签约 ...