近日，南亚科技股份有限公司（Nanya Technology）在国家知识产权局申请了一项新专利，名为“半导体结构及其制造方法”（公开号：CN118900559A）。该专利意在解决目前半导体领域中由于字元线（或称为导线）结构深度不同所引发的电损耗与漏电等问题。这一创新不仅展示了南亚科技在半导体制造方面的前瞻性思考，也标志着该公司在行业技术竞争中的进一步发力。 该专利的关键特性在于其制造方法的独特性。

2024年10月23日，南亚科技股份有限公司（Nanya ...