近日,南亚科技股份有限公司(Nanya Technology)在国家知识产权局申请了一项新专利,名为“半导体结构及其制造方法”(公开号:CN118900559A)。该专利意在解决目前半导体领域中由于字元线(或称为导线)结构深度不同所引发的电损耗与漏电等问题。这一创新不仅展示了南亚科技在半导体制造方面的前瞻性思考,也标志着该公司在行业技术竞争中的进一步发力。 该专利的关键特性在于其制造方法的独特性。