意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。

在智能设备市场持续创新的背景下，深圳市冠禹半导体有限公司于2024年11月13日宣布成功获得一项重要专利，名为“一种IGBT器件及其制造方法”，授权公告号为CN118712218B。此专利的批准不仅标志着该公司在半导体技术领域的进一步突破，也为即将到来的新一代智能设备奠定了基础。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为先进电力电子器件，广泛应用于电动车、可再生能源和高效电源转化系统中，具有提升能效、减少 ...

这个就必须要用到电能逆变技术，也就是把电池中的直流电（死电）转化成可以调节的交流电（活电），这个转化过程，叫逆变，这个转化装置，叫逆变器（电机控制器），其核心，就是功率半导体（IGBT/MOSFET） 如图，可以看到，buttery是电池，电池中的电如何 ...

日前，上海埃积半导体有限公司（以下简称“埃积半导体”）成功取得了一项重要的专利，名为“一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件”。根据国家知识产权局发布的信息，该专利的授权公告号为CN118645502B，申请日期为2024年8月。这一进展不仅标志着埃积半导体在半导体技术领域的持续创新，也为我国半导体功率器件的发展注入了新的活力。

项目效果图11月14日上午，位于内江高新区白马电子信息产业园的IGBT模块材料和封测模组产业园项目一期工程现场，一派热火朝天的建设景象。场内钢架林立，机械轰鸣，260余名工人在项目各区域有序施工，一栋栋厂房已在这片充满希望的土地上拔地而起。据了解，晶 ...

2024年11月1日，上海埃积半导体有限公司宣布获得了一项名为“一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件”的专利，标志着这家公司在功率器件技术领域的一次重大突破。此项专利的授权公告号为CN118645502B，申请日期为2024年8月，意味着埃积半导体在创新方面迈出了坚实的一步。这一新的IGBT（绝缘栅双极晶体管）结构的推出，不仅会对其产品线产生深远影响，还可能引领整个智能设备行业的技术进步 ...

近日，杭州士兰集昕微电子有限公司获得了一项新的专利，专注于逆导型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的制造方法。这项专利的授权公告号为CN112768447B，申请日期为2021年1月。这一技术的取得不仅标志着士兰集昕在半导体技术领域的重要进展，也为推动整个行业的 ...

未来，公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨，朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。 SiC/IGBT功率器件应用发展 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的 ...

2021年11月，芯擎科技成功研发国内首款高性能车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”。目前，芯擎科技已量产并累计出货超40万片“龍鹰一号”，为20余款新能源智能网联汽车装上“中国芯”。

据了解，该项目占地面积50亩，建筑面积约7.5万平方米，项目计划总投资10亿元，2024年计划投资3.5亿元。宝士曼在功率半导体、先进封装技术及新能源应用中处于全球领先的地位。该项目建成后将用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产，年产半导体封装 ...