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6 小时
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器STGAP3S为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的 ...
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。
2 天
深圳市冠禹半导体公布新IGBT专利,推动智能设备革命
在智能设备市场持续创新的背景下,深圳市冠禹半导体有限公司于2024年11月13日宣布成功获得一项重要专利,名为“一种IGBT器件及其制造方法”,授权公告号为CN118712218B。此专利的批准不仅标志着该公司在半导体技术领域的进一步突破,也为即将到来的新一代智能设备奠定了基础。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为先进电力电子器件,广泛应用于电动车、可再生能源和高效电源转化系统中,具有提升能效、减少 ...
eeworld.com.cn
2 天
功率半导体(IGBT/MOSFET)在电动汽车上的应用
这个就必须要用到电能逆变技术,也就是把电池中的直流电(死电)转化成可以调节的交流电(活电),这个转化过程,叫逆变,这个转化装置,叫逆变器(电机控制器),其核心,就是功率半导体(IGBT/MOSFET) 如图,可以看到,buttery是电池,电池中的电如何 ...
腾讯网
8 小时
振奋!“内江造”IGBT,力争打造国内顶级品牌——
项目效果图11月14日上午,位于内江高新区白马电子信息产业园的IGBT模块材料和封测模组产业园项目一期工程现场,一派热火朝天的建设景象。场内钢架林立,机械轰鸣,260余名工人在项目各区域有序施工,一栋栋厂房已在这片充满希望的土地上拔地而起。据了解,晶 ...
搜狐
1 天
杭州士兰集昕微电子推出逆导型绝缘栅双极型晶体管专利,为半导体 ...
近日,杭州士兰集昕微电子有限公司获得了一项新的专利,专注于逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的制造方法。这项专利的授权公告号为CN112768447B,申请日期为2021年1月。这一技术的取得不仅标志着士兰集昕在半导体技术领域的重要进展,也为推动整个行业的 ...
1 天
IGBT概念板块重挫2%!市场为何持续低迷?
2024年11月14日,IGBT(绝缘栅双极晶体管)概念板块的整体表现令人担忧,指数跌幅达2%,报853.417点。交易量方面,共成交131.21亿元,换手率为1.08%。这一情况引发了市场投资者的广泛关注,尤其是在当前技术股普遍动荡的环境中。
2 天
IGBT概念股今日主力资金骤减,紫光国微和长电科技引人关注!
11月12日,IGBT(绝缘栅双极晶体管)概念股遭遇了较为明显的资金流出,整个行业下跌了1.29%,主力资金净流出达到15.98亿元。在今天的交易中,IGBT相关的9只股票中只有8只录得上涨,28只则出现了下跌,明显的资金面变化引发市场的广泛关注。
凤凰网
1 天
为中国车造“中国芯” 武汉经开区诞生两个全国“首创”
2021年11月,芯擎科技成功研发国内首款高性能车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”。目前,芯擎科技已量产并累计出货超40万片“龍鹰一号”,为20余款新能源智能网联汽车装上“中国芯”。
21 小时
总投资超25亿元!4大功率半导体项目投产、开工...
据了解,该项目占地面积50亩,建筑面积约7.5万平方米,项目计划总投资10亿元,2024年计划投资3.5亿元。宝士曼在功率半导体、先进封装技术及新能源应用中处于全球领先的地位。该项目建成后将用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产,年产半导体封装 ...
1 天
ASMPT携奥芯明闪耀第七届进博会,展现半导体行业创新力量
在刚刚落下帷幕的第七届中国国际进口博览会 (CIIE)上,全球领先的半导体解决方案供应商ASMPT与其旗下品牌奥芯明,以“创新引领,智能赋能”为主题,在上海国家会展中心的技术装备展区大放异彩。本届进博会以“新时代,共享未来”为主题,吸引了全球152个国家、地区和国际组织参与,共同探索中国市场的巨大潜力。
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