2024年11月6日，C2安培有限公司成功获得一项关乎半导体技术的专利，名为“垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及其形成的方法”，该专利的授权公告号为CN110574168B，申请日期为2018年5月。此项专利的取得，不仅展现了C2安培在半导体领域的技术实力，也预示着行业内在高性能晶体管技术方面的可能变革。 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是现代电子设备中不可或缺的基础元 ...

C2安培的专利无疑将在全球半导体行业激起波澜。随着市场对低能耗、高性能电子设备的需求不断增长，这项技术的推出不仅可能重塑MOSFET的市场格局，也将为解决全球能源危机提供新思路。特别是在电动汽车和可再生能源系统中，能够提供更高效的电源解决方案，减少能源浪费。

2024年11月13日，华羿微电子股份有限公司宣布获得一项名为“一种MOSFET器件终端及制备方法”的新专利，此消息成为业界热议的焦点。该专利的授权公告号为CN112201695B，其申请日期为2020年10月。MOSFET（场效应晶体管）是当今电子设备中关键的元件，广泛应用于各类电子产品的电源管理和信号处理。华羿微电子通过此次专利的取得，标志着其在MOSFET技术领域的又一重要突破。

东芝将为客户提供易用性和性能都更高的电源半导体产品，充分满足电机控制逆变器和电动汽车电力控制系统等能效都至关重要的领域的应用需求，从而为实现脱碳社会做出贡献。

晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。双极晶体管属于电流驱动器件。场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）属于电压驱动器件。 双极晶体管（BJT） 双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压 ...

这些控制器解决了使用GaN FET时通常会面临的挑战，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，简化了应用设计，无需保护二极管和其它附加外部元件。 9月2日消息，不造车的华为或将催生出更大的独角兽公司，随着阿维塔和赛力斯的入局 ...

通常，硅MOSFET会使用高值电阻来对抗负VGS，从而减缓di/dt和dv/dt。然而，对于SiC器件，推荐的方法是在栅极和源极之间插入二极管电压钳制。如果负电压仅是感应性问题，建议选择带有开尔文源的CoolSiC™器件。这可以使EON损耗比没有开尔 ...

安克这款移动电源共内置12颗宜源MOS管，其中ET6300T这8颗分别用于两路同步升降压电路，用于构成H桥，配合升降压控制器进行升降压控制。两颗ET6304用于电池保护电路，助力电池保护IC全方位保持电池稳定，另外还有两颗ET6300用于USB-A接 ...

1、捷捷微电晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用IDM经营模式，公司MOSFET采用IDM和部分产品的委外流片相结合的业务模式。公司在保证晶闸管 ...

销售的产品： BASiC基本半导体代理商,国产SiC碳化硅半导体器件，SiC碳化硅二极管,SiC碳化硅MOSFET,光伏逆变器升压碳化硅二极管,储能逆变器SiC MOSFET,SiC碳化硅模块，混合IGBT，充电桩PFC碳化硅SiC二极管，V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET，图腾柱SiC碳化硅MOSFET ...

根据AI大模型测算扬杰科技后市走势。短期趋势看，连续3日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，7家机构预测目标均价56.16，高于当前价17.59%。目前市场情绪乐观。

半导体行业的并购重组持续升温。