意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。

在智能设备市场持续创新的背景下，深圳市冠禹半导体有限公司于2024年11月13日宣布成功获得一项重要专利，名为“一种IGBT器件及其制造方法”，授权公告号为CN118712218B。此专利的批准不仅标志着该公司在半导体技术领域的进一步突破，也为即将到来的新一代智能设备奠定了基础。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为先进电力电子器件，广泛应用于电动车、可再生能源和高效电源转化系统中，具有提升能效、减少 ...

项目效果图11月14日上午，位于内江高新区白马电子信息产业园的IGBT模块材料和封测模组产业园项目一期工程现场，一派热火朝天的建设景象。场内钢架林立，机械轰鸣，260余名工人在项目各区域有序施工，一栋栋厂房已在这片充满希望的土地上拔地而起。据了解，晶 ...

近年来，半导体技术的进步引发了广泛关注，特别是在电力电子领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为关键器件，其发展尤为重要。2024年10月29日，青岛科芯半导体有限公司向国家知识产权局申请了一项名为“一种IGBT芯片及其制造结构”的专利。这项技术创新，不仅在芯片制造上展示了新思路，更为芯片在高性能应用中的可靠性与寿命提供了全新的解决方案。

日前，上海埃积半导体有限公司（以下简称“埃积半导体”）成功取得了一项重要的专利，名为“一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件”。根据国家知识产权局发布的信息，该专利的授权公告号为CN118645502B，申请日期为2024年8月。这一进展不仅标志着埃积半导体在半导体技术领域的持续创新，也为我国半导体功率器件的发展注入了新的活力。

2024年10月28日，汉斯半导体（江苏）有限公司在国家知识产权局成功申请了一项名为“一种IGBT模块封装外壳抛光装置”的专利。这一创新设备的推出 ...

插播：12月11-12日，华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、意法半导体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末 ...

据了解，该项目占地面积50亩，建筑面积约7.5万平方米，项目计划总投资10亿元，2024年计划投资3.5亿元。宝士曼在功率半导体、先进封装技术及新能源应用中处于全球领先的地位。该项目建成后将用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产，年产半导体封装 ...

通过提供卓越的封装和内存解决方案，ASMPT&奥芯明助力客户在高性能计算和AI领域取得更大的突破和创新。 ·高功率半导体解决方案助力新能源发展 ...