意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。

项目效果图11月14日上午，位于内江高新区白马电子信息产业园的IGBT模块材料和封测模组产业园项目一期工程现场，一派热火朝天的建设景象。场内钢架林立，机械轰鸣，260余名工人在项目各区域有序施工，一栋栋厂房已在这片充满希望的土地上拔地而起。据了解，晶 ...

在智能设备市场持续创新的背景下，深圳市冠禹半导体有限公司于2024年11月13日宣布成功获得一项重要专利，名为“一种IGBT器件及其制造方法”，授权公告号为CN118712218B。此专利的批准不仅标志着该公司在半导体技术领域的进一步突破，也为即将到来的新一代智能设备奠定了基础。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为先进电力电子器件，广泛应用于电动车、可再生能源和高效电源转化系统中，具有提升能效、减少 ...

巴斯夫近日推出了一款着眼于未来技术的大宗聚邻苯二甲酰胺（PPA）材料——Ultramid Advanced N3U41G6，此材料专为制造绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体外壳设计。随着电动汽车、智能制造、可再生能源等领域对高性能、可靠性电子元件的需求日益增长，这一新材料在市场中显得尤为重要。Ultramid Advanced N系列材料的新特性将极大地增强IGBT的耐久性和电性能表现，解决当前电 ...

日前，上海埃积半导体有限公司（以下简称“埃积半导体”）成功取得了一项重要的专利，名为“一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件”。根据国家知识产权局发布的信息，该专利的授权公告号为CN118645502B，申请日期为2024年8月。这一进展不仅标志着埃积半导体在半导体技术领域的持续创新，也为我国半导体功率器件的发展注入了新的活力。

2024年10月28日，汉斯半导体（江苏）有限公司在国家知识产权局成功申请了一项名为“一种IGBT模块封装外壳抛光装置”的专利。这一创新设备的推出 ...

据了解，该项目占地面积50亩，建筑面积约7.5万平方米，项目计划总投资10亿元，2024年计划投资3.5亿元。宝士曼在功率半导体、先进封装技术及新能源应用中处于全球领先的地位。该项目建成后将用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产，年产半导体封装 ...

2021年11月，芯擎科技成功研发国内首款高性能车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”。目前，芯擎科技已量产并累计出货超40万片“龍鹰一号”，为20余款新能源智能网联汽车装上“中国芯”。

在刚刚落下帷幕的第七届中国国际进口博览会 (CIIE)上，全球领先的半导体解决方案供应商ASMPT与其旗下品牌奥芯明，以“创新引领，智能赋能”为主题，在上海国家会展中心的技术装备展区大放异彩。本届进博会以“新时代，共享未来”为主题，吸引了全球152个国家、地区和国际组织参与，共同探索中国市场的巨大潜力。

吉利汽车集团中央研究院常务副院长任向飞指出,随着电动化、智能化发展,迎来诸多技术挑战和机遇,也迎来了半导体行业和主机厂协同发展的新格局,持续的创新为吉利车型实现性能提升、成本降低的同时,将产业协同发展推向一个新的高度。